特許

J-GLOBAL ID：200903084776080351

反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法

発明者： 細谷 守男 ,  笑喜 勉
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-331411
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268750
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】多層反射膜上に設けられる吸収体膜等へのパターン形成時の耐性に優れ、多層反射膜の反射率の低下を招かずに、しかも十分に多層反射膜の酸化防止効果が得られる保護膜を多層反射膜上に備えた反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜2と、多層反射膜2上の保護膜と、バッファー層3と、露光光を吸収する吸収体膜4とを有する反射型マスクブランクス10であって、前記保護膜は、ルテニウム(Ru)と、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、硼素(B)、チタン(Ti)、ランタン(La)から選ばれる少なくとも1種とを含有するルテニウム化合物から形成される。さらに、保護膜表面にRuからなる反射増加膜を形成してもよい。反射型マスク20は、この反射型マスクブランクスの吸収体膜に転写パターンが形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された該多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、 前記保護膜は、ルテニウム(Ru)と、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、硼素(B)、チタン(Ti)、ランタン(La)から選ばれる少なくとも1種とを含有するルテニウム化合物からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。

IPC (4件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20

FI (4件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/08 G ,  G03F1/16 A ,  G03F7/20 503

Fターム (9件)：

2H095BA10 ,  2H095BC05 ,  2H095BC09 ,  2H095BC11 ,  2H095BC24 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  5F046GD07 ,  5F046GD10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公平7-27198号公報
  
• 反射型フォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-314292   出願人：三星電子株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 極端紫外光学素子用のキャッピング層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-195020   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
• EUV露光用反射型マスクブランクおよびEUV露光用反射型マスク並びにEUV露光用反射型マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-034313   出願人：ホーヤ株式会社
• モリブデンルテニウム/ベリリウム多層構造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-500891   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “Advances in the reduction and compensation of fil