EUV露光用反射型マスクブランクおよびEUV露光用反射型マスク並びにEUV露光用反射型マスクの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿仁屋節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034313
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319542
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 EUVマスク等、の製造工程において、エッチングストッパーとしての機能をも果たす中間層として、高精度なパターン形成を可能とする中間層材料を見出し、高精度および高反射率を有するEUVマスクの製造方法を提供し、得られたEUVマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写することを特徴とする半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 EUVマスクとして、基板11上にEUV光を反射する多層膜12を有し、前記多層膜12上にエッチングストッパー13として中間層を有し、前記中間層上にEUV光を吸収する吸収体層14を有する構造とし、前記中間層としてCrと、N、O、C、のいずれかより選ばれる少なくとも1つ以上の元素と、を含む材料を用いることで、高精度なパターン形成を可能とするEUVマスクが実現できた。

請求項（抜粋）：

基板上にEUV光を反射する多層膜を有し、前記多層膜上に中間層を有し、前記中間層上にEUV光を吸収する吸収体層を有するEUV露光用反射型マスクブランクであって、前記中間層としてCrと、N、O、C、のいずれかより選ばれる少なくとも1つ以上の元素と、を含む材料を用いたことを特徴とするEUV露光用反射型マスクブランク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/14 , G03F 7/20 503

FI (3件)：

G03F 1/14 A , G03F 7/20 503 , H01L 21/30 531 M

Fターム (13件)：

2H095BA01 , 2H095BA10 , 2H095BB01 , 2H095BC24 , 2H095BC27 , 2H097CA15 , 2H097GB00 , 2H097LA10 , 5F046GD01 , 5F046GD02 , 5F046GD03 , 5F046GD10 , 5F046GD12

引用特許：

審査官引用 (4件)

反射型X線マスク及びその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016698 出願人：株式会社ニコン
X線マスクブランク、X線マスク及びパターン転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-334511 出願人：ホーヤ株式会社
光学素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-124836 出願人：株式会社日立製作所

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