特許
J-GLOBAL ID：200903049187683917

EUV露光用反射型マスクブランクおよびEUV露光用反射型マスク並びにEUV露光用反射型マスクの製造方法

発明者：
笑喜 勉

笑喜 勉 について

, 
細谷 守男

細谷 守男 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034313
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319542
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 EUVマスク等、の製造工程において、エッチングストッパーとしての機能をも果たす中間層として、高精度なパターン形成を可能とする中間層材料を見出し、高精度および高反射率を有するEUVマスクの製造方法を提供し、得られたEUVマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写することを特徴とする半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 EUVマスクとして、基板11上にEUV光を反射する多層膜12を有し、前記多層膜12上にエッチングストッパー13として中間層を有し、前記中間層上にEUV光を吸収する吸収体層14を有する構造とし、前記中間層としてCrと、N、O、C、のいずれかより選ばれる少なくとも1つ以上の元素と、を含む材料を用いることで、高精度なパターン形成を可能とするEUVマスクが実現できた。
請求項（抜粋）：
基板上にEUV光を反射する多層膜を有し、前記多層膜上に中間層を有し、前記中間層上にEUV光を吸収する吸収体層を有するEUV露光用反射型マスクブランクであって、前記中間層としてCrと、N、O、C、のいずれかより選ばれる少なくとも1つ以上の元素と、を含む材料を用いたことを特徴とするEUV露光用反射型マスクブランク。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 503
FI (3件)：
G03F 1/14 A ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/30 531 M
Fターム (13件)：
2H095BA01 ,  2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  2H095BC24 ,  2H095BC27 ,  2H097CA15 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046GD01 ,  5F046GD02 ,  5F046GD03 ,  5F046GD10 ,  5F046GD12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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