特許
J-GLOBAL ID：200903084794391925

ダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法

発明者：
塚田 修一

塚田 修一 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380116
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187577
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】リフレッシュ動作電流を特段に減少させるダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法の提供。【解決手段】ロウデコーダから出力されるワード線と、書き込みを指示するライト指示信号とを入力し、ワード線が活性化され且つライト指示信号が活性化された場合に、ライト履歴有りの値を記憶保持するフリップフロップ(INV1,INV2)と、フリップフロップの出力Aと、ワード線と、ワード線に関するリフレッシュ動作を指示するリフレッシュ指示信号とを入力とし、ワード線及びリフレッシュ指示信号が活性化された場合に、フリップフロップの出力Aがライト履歴有りの値である場合、通常通りのリフレッシュ動作を行うように制御し、ライト履歴無しの値である場合には、センスアンプによるセンス動作を制御する信号の少なくとも一つ(センスフラグ信号)を非活性化してワード線に関するリフレッシュ動作を停止させる。
請求項（抜粋）：
ワード線と、書き込みを指示するライト指示信号との値に基づき、前記ワード線に関するライト履歴の有無を記憶保持する保持回路と、リフレッシュ指示信号が活性化された場合において、前記保持回路の出力がライト履歴有りの値を示している場合には、通常通りのリフレッシュ動作を行うように制御し、前記保持回路の出力がライト履歴無しの値を示している場合には、選択されるワード線の活性化の停止、及び/又は、センスアンプによるセンス動作の少なくとも一部の停止、により、リフレッシュ動作を停止させる制御を行う制御回路と、を備えている、ことを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/406 ,  G11C 11/407
FI (3件)：
G11C 11/34 363 J ,  G11C 11/34 363 N ,  G11C 11/34 362 S
Fターム (18件)：
5M024AA16 ,  5M024BB08 ,  5M024BB09 ,  5M024BB22 ,  5M024BB27 ,  5M024BB39 ,  5M024CC24 ,  5M024CC39 ,  5M024CC40 ,  5M024CC82 ,  5M024EE12 ,  5M024EE17 ,  5M024JJ02 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07 ,  5M024PP10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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