特許
J-GLOBAL ID：200903084821688242

絶縁膜、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器

発明者：
宮田 正靖

宮田 正靖 について

, 
上原 正光

上原 正光 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219191
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175424
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】薄膜化した場合でもSBDやSILCが生じ難く、高い絶縁破壊耐性(SILC、TZDB、TDDBの改善)が得られる絶縁膜、それを用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】半導体素子1は、チャネル領域21、ソース領域22およびドレイン領域23を有する半導体基板と、前記チャネル領域21上に積層されたゲート絶縁膜3およびゲート電極5を有している。ゲート絶縁膜3は、シリコンと、シリコン以外の少なくとも1種の元素とを含有する絶縁性無機材料を主材料として構成され、水素原子を含むものであり、電界を印加したことがない状態のゲート絶縁膜3を、室温においてフーリエ変換赤外吸収スペクトル法で測定したとき、波数3200〜3500cm-1の範囲の赤外線の吸光度が0.02以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンと、シリコン以外の少なくとも1種の元素とを含有する絶縁性無機材料を主材料として構成され、水素原子を含む絶縁膜であって、 電界を印加したことがない状態の前記絶縁膜を、室温においてフーリエ変換赤外吸収スペクトル法で測定したとき、波数3200〜3500cm-1の範囲の赤外線の吸光度が0.02以下であることを特徴とする絶縁膜。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/316 X ,  H01L29/78 301G
Fターム (43件)：
5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA19 ,  5F140AA37 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA07 ,  5F140BA12 ,  5F140BA13 ,  5F140BA20 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF60 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC10 ,  5F140CC15 ,  5F140CF07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM