特許
J-GLOBAL ID：200903083706785734

半導体装置及びその製造方法

発明者：
三谷 祐一郎

三谷 祐一郎 について

, 
佐竹 秀喜

佐竹 秀喜 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100399
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299612
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】電気的な信頼性の高いゲート絶縁膜を具備する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成され、酸素及び窒素の少なくとも一方及び重水素原子を含むゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に形成されたゲート電極4とを具備する。ゲート絶縁膜3のゲート電極との界面近傍における重水素濃度が1×1017cm-3以上であり、かつゲート絶縁膜のシリコン基板との界面近傍における重水素濃度はゲート電極との界面近傍における重水素濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、酸素及び窒素の少なくとも一方及び重水素を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記ゲート絶縁膜の前記ゲート電極との界面近傍における重水素濃度が1×1017cm-3以上であり、かつ前記ゲート絶縁膜の前記シリコン基板との界面近傍における重水素濃度は前記ゲート電極との界面近傍における重水素濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (53件)：
5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BH05 ,  5F083EP42 ,  5F083EP44 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA06 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083PR12 ,  5F083PR18 ,  5F083PR33 ,  5F101BA28 ,  5F101BA29 ,  5F101BC01 ,  5F101BF09 ,  5F101BH16 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK35 ,  5F140BK38 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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