特許
J-GLOBAL ID:200903084822673028

磁気検出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-250700
公開番号(公開出願番号):特開2004-095587
出願日: 2002年08月29日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】ΔR・Aの大きなデュアルスピンバルブ型の磁気検出素子を提供する。【解決手段】人工フェリ構造のフリー磁性層26の第1フリー磁性層53の膜厚t1及び第2フリー磁性層55の膜厚t2をスピン拡散長(Spin diffusion length)より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。従って、単位面積当たりの磁気抵抗変化ΔR・Aの大きなCPP型デュアルスピンバルブ磁気検出素子を提供できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
フリー磁性層の下に下部非磁性材料層、下部固定磁性層、及び下部反強磁性層が積層され、前記フリー磁性層の上に上部非磁性材料層、上部固定磁性層、及び上部反強磁性層が積層されている多層膜を有し、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、 前記フリー磁性層は、第1フリー磁性層の上に第2フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、 前記第1フリー磁性層の膜厚は前記第1フリー磁性層を形成している磁性材料のスピン拡散長より大きく、かつ前記第2フリー磁性層の膜厚は前記第2フリー磁性層を形成している磁性材料のスピン拡散長より大きいことを特徴とする磁気検出素子。
IPC (3件):
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39
FI (4件):
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R
Fターム (7件):
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許:
審査官引用 (4件)
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