特許
J-GLOBAL ID:200903084836869367

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶山 佶是 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-033416
公開番号(公開出願番号):特開2002-237611
出願日: 2001年02月09日
公開日(公表日): 2002年08月23日
要約:
【要約】【課題】 低抵抗損失を有し、高い光電変換率を達成できる新規な光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を構成する半導体粒子間に細長い形状の導電性粒子を混在させる。
請求項(抜粋):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層が増感色素担持半導体粒子と細長い形状の導電性粒子とから構成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (7件):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (7件)
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