特許
J-GLOBAL ID：200903084848681932
固体撮像素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-304010
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115803
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】基板変調型センサやCMOS-APSセンサで電子シャッター機能と相関2重サンプリングを共に行うためには、蓄積ウェル4で蓄えた光電荷を一時的に蓄えておくキャリアポケット24を有することが必要となる。キャリアポケット24に光が侵入すると、キャリアポケット24で光キャリアが発生し、画像の乱れが発生する。そこで、電荷保持領域への光の侵入を抑制しうる構造を提供する。【解決手段】キャリアポケット24上に形成されている第1層目のゲート電極層となるポリシリコンを用いた転送ゲート22A上に薄膜の絶縁層を形成し、第2層目のゲート電極層となるタングステンシリサイドとポリシリコンとの2層構造からなる転送ゲート22Bでキャリアポケット24を更に覆う。光の透過率が低いタングステンシリサイドで覆うことでキャリアポケット24への光の侵入が抑制できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された、入射光を光電変換することで得られる電荷を蓄積する蓄積ウ
ェルと、
前記電荷を前記蓄積ウェルから転送するための、前記半導体基板の表面に第1の絶縁層
を介して設けられた第1のゲート電極層を用いて形成された第1の転送ゲート電極を有す
る第1の転送制御素子と、
前記蓄積ウェルから前記第1の転送制御素子を介して転送された前記電荷を蓄えるため
に前記第1の転送ゲート電極下部に設けられた電荷保持領域と、
前記電荷を前記電荷保持領域から転送するための、前記第1の転送ゲート電極及び前記
半導体基板の表面に第2の絶縁層を介して設けられる第2のゲート電極層を用いて形成さ
れた第2の転送ゲート電極を有する第2の転送制御素子と、
前記電荷保持領域から前記第2の転送制御素子を介して転送された前記電荷を蓄え、且
つ前記電荷により生じる電位変動を検出するためのフローティングディフュージョン領域
を備える固体撮像素子であって、
前記第1の転送ゲート電極を通して前記電荷保持領域に前記入射光が侵入することを抑
制するために、前記電荷保持領域上にある前記第1の転送ゲート電極の少なくとも一部分
を遮光のために覆うよう前記第2の転送ゲート電極を延在させたことを特徴とする固体撮
像素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118CA20
, 4M118FA06
, 4M118FA08
, 4M118GB06
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 5C024CX06
, 5C024CX54
, 5C024GY41
, 5C024GZ36
