特許
J-GLOBAL ID：200903084857321060
露光条件設定方法及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-096868
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305972
出願日： 2007年04月02日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】フォトマスクのパターンや光源等のパラメータの最適設定により、露光精度の向上をはかる。【解決手段】有効光源から発した光を露光用マスクに形成されたマスクパターンに照射し、マスクから発した回折光を投影レンズを介して基板上に投影露光する際に、露光条件を最適設定するための露光条件設定方法であって、光学像又はレジストパターンの特性を代表し、マスクパターン寸法誤差の像特性への影響を表す因子を含ませた像評価量を定義する第1のステップS1と、有効光源及びマスクパターンの初期条件を定める第2のステップS2と、有効光源のパラメータ及びマスクパターンのパラメータの少なくとも一つを定義する第3のステップS3と、パラメータの少なくとも一つを変化させて像評価量を計算し、該計算結果に基づいて最適なパラメータを決定する第4のステップS4を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有効光源から発した光を露光用マスクに形成されたマスクパターンに照射し、マスクから発した回折光を投影レンズを介して基板上に投影露光する際に、露光条件を最適設定するための露光条件設定方法であって、
前記基板上に形成しようとする光学像又はレジストパターンの特性を代表する像評価量であって、マスクパターン寸法誤差の像特性への影響を表す因子を含ませた像評価量を定義する第1のステップと、
前記有効光源の初期条件と前記マスクパターンの初期条件を定める第2のステップと、
前記有効光源の形状特徴を表現するパラメータ及び前記マスクパターンの形状特徴を表現するパラメータの少なくとも一つを定義する第3のステップと、
前記パラメータの少なくとも一つを変化させて前記像評価量を計算し、該計算結果に基づいて最適なパラメータを決定する第4のステップと、
を含むことを特徴とする露光条件設定方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/30 514C
, H01L21/30 516Z
5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CB05
, 5F046CB23
, 5F046DA01
, 5F046DA02
