特許
J-GLOBAL ID：200903084857811873

半導体装置の作製方法

発明者：
森末 将文

森末 将文 について

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神保 安弘

神保 安弘 について

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木村 肇

木村 肇 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043759
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266587
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】積層体に損傷を与えず、歩留まり高い半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。【解決手段】透光性を有する基板上に、光触媒層及び光触媒層に接する炭素を含む無機化合物層または炭素単体層を形成し、光触媒層及び光触媒層に接する炭素を含む無機化合物層または炭素単体層を介して透光性を有する基板上に素子形成層を形成し、透光性を有する基板を介して光触媒層に光を照射した後、透光性を有する基板及び素子形成層を分離する半導体装置の作製方法である。さらには、光触媒層及び炭素を含む無機化合物層または炭素単体層の界面において分離することで、透光性を有する基板及び素子形成層を分離する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性を有する基板上に、光触媒層及び前記光触媒層に接する炭素を含む無機化合物層または炭素単体層を形成し、光触媒層及び前記光触媒層に接する炭素を含む無機化合物層または炭素単体層を介して前記透光性を有する基板上に素子形成層を形成し、 前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射した後、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/10
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 626C ,  G06K19/00 K ,  H01L29/78 627D ,  H05B33/10
Fターム (58件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107DD90 ,  3K107DD95 ,  3K107FF13 ,  3K107GG09 ,  3K107GG11 ,  3K107GG22 ,  3K107GG32 ,  5B035AA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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