特許
J-GLOBAL ID：200903084872508095

不揮発性メモリとそのベリファイ方法、及び半導体装置

発明者：
加藤 清

加藤 清 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133689
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329397
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 高速なベリファイ動作を実現する不揮発性メモリを提供する。【解決手段】本発明では、ベリファイ書き込み/消去において、書き込み/消去と読み出しとを同時に行う。ベリファイ動作を行う回路としては、例えば、読み出しを行うセンスアンプ102の出力がベリファイ信号Svとしてメモリセルに印加される動作電圧を切り替えるスイッチに接続されており、ベリファイ信号Svが切り替わると同時にベリファイ動作が終了するような構成とする。このような回路構成とし、書き込み/消去と読み出しを同時に行うことによって、高速なベリファイ書き込み/消去が可能となる。
請求項（抜粋）：
ベリファイ動作において、メモリ素子のしきい値電圧を変化させる第1の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧を判定する第2の動作と、が同時に行われることを特徴とする不揮発性メモリのベリファイ方法。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (5件)：
G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 612 B ,  G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 622 A ,  G11C 17/00 622 E
Fターム (8件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD06 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (6件)
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