半導体装置のキャパシタ及びその形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288307
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233726
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のキャパシタ及びその形成方法を提供する。【解決手段】下部電極と、非晶質酸化アルミニウム膜の誘電膜及び上部電極を含む。この際、非晶質酸化アルミニウム膜は気相反応物を順次に反応させる下部電極上に送る方法、例えば原子膜蒸着方法で形成される。また、非晶質酸化アルミニウム膜を形成する前に下部電極を急速熱的窒化処理する。上部電極を形成した後、非晶質酸化アルミニウム膜を約850°Cで熱処理して緻密化させる。このような緻密化によって等価酸化膜の厚さの理論的な値の略30Åに近接した等価酸化膜を具現しうる。

請求項（抜粋）：

下部電極と、前記下部電極上に非晶質酸化アルミニウム膜よりなる誘電膜と、前記誘電膜上に備えられる上部電極とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/316 X , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭61-174739
電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150254 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-007920 出願人：富士通株式会社

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