特許
J-GLOBAL ID:200903085003905234

酸化チタン層の製造方法、この方法により製造された酸化チタン層、及び酸化チタンを用いた反射防止フィルム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石川 泰男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-290028
公開番号(公開出願番号):特開2003-096565
出願日: 2001年09月21日
公開日(公表日): 2003年04月03日
要約:
【要約】【課題】 酸化チタン層をプラズマCVD法により短時間で製造した場合であっても密着性や透明性が良好であり、さらに層製造後に屈折率が変化しない安定した酸化チタン層の製造方法を提供すると共に、この方法を用いて製造した酸化チタン層、及び当該酸化チタン層を積層体中に用いた反射防止フィルムを提供することを課題とする。【解決手段】 有機チタン化合物ガスと酸素ガスとを反応室内へ供給し、これらのガスを放電させてプラズマ状態とし、前記反応室内に載置された基材上に酸化チタン層を積層させるプラズマCVD法であって、前記反応室内に、有機チタン化合物ガス及び酸素ガス以外に、水蒸気を供給することで、水蒸気存在下で酸化チタン層を積層させることを特徴とするプラズマCVD法を用いた酸化チタン層の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
有機チタン化合物ガスと酸素ガスとを反応室内へ供給し、これらのガスを放電させてプラズマ状態とし、前記反応室内に載置された基材上に酸化チタン層を積層させるプラズマCVD法であって、前記反応室内に、有機チタン化合物ガス及び酸素ガス以外に、水蒸気を供給することで、水蒸気存在下で酸化チタン層を積層させることを特徴とするプラズマCVD法を用いた酸化チタン層の製造方法。
IPC (4件):
C23C 16/40 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 ,  C23C 16/18
FI (4件):
C23C 16/40 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 16/18
Fターム (25件):
4F100AA20B ,  4F100AA20D ,  4F100AA21C ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100JN06 ,  4F100JN18B ,  4F100JN18C ,  4F100JN18D ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030BB12 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030LA11
引用特許:
審査官引用 (2件)
引用文献:
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