プラズマ励起化学気相成長装置及びプラズマエッチング装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132304
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320966
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】プラズマ励起用の高周波電力として、従来のRF帯(13.56MHz)より高いVHF帯からUHF帯のものを用いるプラズマCVD装置において、反応室の、少なくとも一対の電極の対向面と平行な方向の寸法が上記高周波電力の波長と同じオーダーの数十cm〜数m程度となっても、プラズマを所望のカソード電極とアノード電極との間で生成させるようにする。【解決手段】本来プラズマが生成してほしいカソード電極101aとアノード電極4との間の空間を網目状導電性隔壁10によって分割することにより、導液管により近似されるカソード電極とアノード電極との間の空間のインダクタンスLを小さくした。

請求項（抜粋）：

成膜用ガスが供給され、被処理部材に対して成膜処理を施すための反応室と、該反応室内に相対向するよう配置され、プラズマを励起するための高周波電界を発生する少なくとも一対の電極と、該一対の電極間に印加する、ラジオ波帯より高いVHF帯あるいはUHF帯の高周波電力を発生する電源と、該一対の電極間の空間を複数の領域に分割する遮蔽手段とを備えたプラズマ励起化学気相成長装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

高周波プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141932 出願人：シチズン時計株式会社
成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267596 出願人：キヤノン株式会社
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152337 出願人：三菱重工業株式会社

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