特許
J-GLOBAL ID：200903085013904791

半導体装置及び放射線検出装置

発明者：
望月 千織

望月 千織 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142005
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343952
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 画素の高精細化に伴い、画素の開口率が低下し、高感度化及び高精細化できない。【解決手段】 スイッチTFTのゲート配線2と光電変換素子の下部電極3及びスイッチTFTのゲート電極4とを平坦化機能を有する層間絶縁層11を介して配置する事により、従来必要であった光電変換素子とゲート配線とのクリアランスを実質的に不要とする事ができ、その結果、開口率を向上した高感度、高精細な半導体装置、放射線検出装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に半導体素子と前記半導体素子の信号を選択するためのスイッチ素子とを含む画素が複数形成された半導体装置において、前記絶縁基板上に前記スイッチ素子を駆動するための配線が前記半導体素子の一辺に沿って形成され、前記絶縁基板上に少なくとも前記駆動配線を覆うように層間絶縁層が形成され、該層間絶縁層上に前記半導体素子とスイッチ素子とが形成され、隣接する前記半導体素子間において前記駆動配線と前記半導体素子の下部電極とが前記層間絶縁層によって分離されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 27/146 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/24 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335
FI (9件)：
G01T 1/00 B ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A ,  H01L 29/78 612 Z
Fターム (60件)：
2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA19 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118GA10 ,  5C024AX16 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F088AA11 ,  5F088AB05 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088CB05 ,  5F088CB14 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA09 ,  5F088GA02 ,  5F088HA15 ,  5F088LA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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