半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340335
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156028
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】極薄チップを歩留まりよく製造でき、かつ該チップの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、生産効率の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くし、研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなるダイシング・ダイボンドシートを貼着し、該表面保護シートを剥離し、前記溝をさらに削成し、最終的には個々のチップへの分割を行うとともに、ダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断し、該接着剤層をチップとともに、ダイシング・ダイボンドシートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に固着することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くし、研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなるダイシング・ダイボンドシートを貼着し、該表面保護シートを剥離し、前記溝をさらに削成し、最終的には個々のチップへの分割を行うとともに、ダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断し、該接着剤層をチップとともに、ダイシング・ダイボンドシートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/52

FI (4件)：

H01L 21/52 G , H01L 21/78 Q , H01L 21/78 P , H01L 21/78 M

Fターム (3件)：

5F047BA21 , 5F047BB03 , 5F047BB18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-018806 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-194369 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-112345

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