特許

J-GLOBAL ID：200903085074178457

イリジウム含有薄膜の化学気相成長法による製造方法

発明者： 友澤 方彦 ,  藤沢 浩訓 ,  清水 勝 ,  丹生 博彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所 ,  清水 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-377109
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181841
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリーの電極用薄膜として、平坦なIrもしくはIrO2の膜をCVD法で成膜する方法を提供することである。【解決手段】SiO2/Si基板を室温〜400°C、水素雰囲気に暴露した後、エチルシクロペンタジエニル(シクロオクタジエン)イリジウムIr(C5H4C2H5)(1,5-C8H12)を原料とし、減圧下、酸素雰囲気中250〜400°CでCVDすることにより、平坦なIr膜を作る。

請求項（抜粋）：

イリジウム含有薄膜を有機イリジウム化合物の化学気相成長法により製造する方法において、加熱された基板を水素の雰囲気に暴露させた後、有機イリジウムと酸素を該基板上に導入し、熱分解堆積を行うことを特徴とするイリジウム含有薄膜の化学気相成長法による製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/18 ,  C07F 17/02 ,  H01L 21/285 ,  C07F 15/00

FI (4件)：

C23C 16/18 ,  C07F 17/02 ,  H01L 21/285 C ,  C07F 15/00 E

Fターム (15件)：

4H050AB78 ,  4H050AB91 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104GG16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エチルシクロペンタジエニル(1,5-シクロオクタ ジエン)イリジウムとその製造方法及びそれを用いた イリジウム含有薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-129407   出願人：株式会社高純度化学研究所
• 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067816   出願人：富士通株式会社
• 有機イリジウム化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-109541   出願人：三菱マテリアル株式会社