特許

J-GLOBAL ID：200903085089042594

エピタキシャル基板、電子デバイス用エピタキシャル基板、及び電子デバイス

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  坂井 正宏
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081394
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282598
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】高速動作性などの特性を改善し、GaN系材料からなる実用レベルの電子デバイスを得るための手段を提供する。【解決手段】基材1上に、少なくともAlを含有した第1のIII族窒化物下地層2及び第2のIII族窒化物下地層3を順次に形成する。そして、下地層2及び下地層3の界面9から下地層3へ延在するアクセプタ不純物が存在する領域Aを形成してエピタキシャル基板5を作製し、この基板5を電子デバイス作製時の基板として用いる。

請求項（抜粋）：

単結晶材料からなる基材と、この基材上に形成された少なくともAlを含む第1のIII族窒化物下地層と、この第1のIII族窒化物下地層上に形成された第2の窒化物下地層とを具え、少なくとも前記第1のIII族窒化物下地層と前記第2のIII族窒化物下地層との界面において、アクセプタ不純物を含むことを特徴とする、エピタキシャル基板。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/203

Fターム (31件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235336   出願人：日本電信電話株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241581   出願人：ソニー株式会社