特許

J-GLOBAL ID：200903085133598376

誘電体膜の処理装置及び誘電体膜の処理方法

発明者： 向島 美香 ,  松野 明
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-014601
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218102
出願日： 2002年01月23日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】配向性のよい強誘電体膜を形成して、電気特性を向上させ、またレーザアニールによって形成される強誘電体膜の表面を滑らかにすること。【解決手段】大気圧未満の雰囲気ガス中で誘電体膜7にレーザ光Lを照射する。または大気圧未満の雰囲気ガス中で誘電体膜7を加熱した後にレーザ光Lを照射する。または誘電体膜7に、比較的弱いエネルギー密度のレーザ光L1を照射した後に比較的強いエネルギー密度のレーザ光L2を照射する。

請求項（抜粋）：

誘電体膜の処理装置において、誘電体膜が表面に形成された被処理基板を収容する収容室と、前記収容室の圧力を大気圧未満に調整する圧力調整手段と、レーザ光を前記誘電体膜に照射して強誘電体化するレーザ装置とを備えたことを特徴とする誘電体膜の処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (9件)：

5F045EB02 ,  5F045EC03 ,  5F045EK17 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005049   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 誘電体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149524   出願人：セイコーエプソン株式会社
• レーザアニール装置およびその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-114304   出願人：株式会社日本製鋼所