特許
J-GLOBAL ID：200903085153528625

半導体装置およびその製造方法

発明者：
内山 憲治

内山 憲治 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090011
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286296
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 球状半導体と基板との電気的な接続を確実に行うことのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置1の基板15には、球状半導体11を搭載する領域に凹部150が形成され、この凹部150内に端子151が形成されている。球状半導体11は重心が偏っているので、凹部150内に球状半導体11を配置して基板15に微振動を加えると、球状半導体11の所定箇所が下向きになって球状半導体11の端子111と基板15の端子151とを精度よく重ねることができる。
請求項（抜粋）：
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体を固定材を用いて基板上に搭載した半導体装置であって、前記球状半導体の表面には、前記基板と最も近接する箇所を中心としたときに、該中心領域あるいは該中心領域の周りに、前記固定材との濡れ性が周辺領域と比較して高い高濡れ性領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (7件)：
5F044KK01 ,  5F044KK23 ,  5F044LL01 ,  5F044LL07 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ00 ,  5F044QQ06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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