特許
J-GLOBAL ID：200903085159039073

ガスセンサ素子の製造方法およびガスセンサの製造方法ならびにガスセンサ素子およびガスセンサ

発明者：
高木 正峰

高木 正峰 について

, 
山田 大介

山田 大介 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075321
公開番号（公開出願番号）：特開2007-248392
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】被毒防止層の剥離が抑制されたガスセンサ素子を製造するための製造方法を提供すること。【解決手段】粒度分布のピークが1μm以下に調整されたアナターゼ型チタニア粉末と、粒度分布のピークが10μm以上に調整されたチタニア粉末以外のセラミック粉末とを含む被毒防止層用ペーストを電極保護層4の表面に塗布し、成形体を作成する塗布工程と、前記成形体を熱処理して前記アナターゼ型チタニア粉末に由来するアナターゼ型チタニアの一部をルチル型チタニアに転移させるようにして被毒防止層5を形成する熱処理工程と、を有し、前記熱処理工程では、アナターゼ型チタニアからルチル型チタニアへの転移量が1.5重量%以上、85重量%以下となるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有底筒状の固体電解質体と、該固体電解質体の外周面に形成された電極と、該電極の表面に形成された電極保護層と、該電極保護層の表面に形成された被毒防止層とを有するガスセンサ素子の製造方法において、 粒度分布のピークが1μm以下に調整されたアナターゼ型チタニア粉末と、粒度分布のピークが10μm以上に調整されたチタニア粉末以外のセラミック粉末とを含む被毒防止層用ペーストを前記電極保護層の表面に塗布し、成形体を作成する塗布工程と、 前記成形体を熱処理して前記アナターゼ型チタニア粉末に由来するアナターゼ型チタニアの一部をルチル型チタニアに転移させるようにして前記被毒防止層を形成する熱処理工程と、を有し、 前記熱処理工程では、アナターゼ型チタニアからルチル型チタニアへの転移量が1.5重量%以上、85重量%以下となることを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。
IPC (1件)：
G01N 27/409
FI (1件)：
G01N27/58 B
Fターム (8件)：
2G004BB01 ,  2G004BC02 ,  2G004BD05 ,  2G004BF04 ,  2G004BF05 ,  2G004BF20 ,  2G004BF27 ,  2G004BJ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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