特許
J-GLOBAL ID：200903085196372122

電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法

発明者：
神代 和浩

神代 和浩 について

, 
大西 敏一

大西 敏一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 世良 和信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311599
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 より短い時間での活性化工程で結晶性の良い炭素あるいは炭素化合物の膜を形成できる電子放出素子、電子源の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板1上に、互いに間隔をおいて配置された一対の導電体4を形成する工程と、炭素化合物ガスの雰囲気中にて、前記一対の導電体の少なくとも一方に炭素あるいは炭素化合物4aを堆積させる活性化工程とを有し、前記活性化工程は、第1工程及び第2工程を含む2段階以上の複数の工程を有し、前記第1工程は、最終の活性化工程である前記第2工程よりも前記炭素化合物ガスの分圧が大きい雰囲気中にてなされることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、互いに間隔をおいて配置された一対の導電体を形成する工程と、炭素化合物ガスの雰囲気中にて、前記一対の導電体の少なくとも一方に炭素あるいは炭素化合物を堆積させる活性化工程とを有し、前記活性化工程は、第1工程及び第2工程を含む2段階以上の複数の工程を有し、前記第1工程は、最終の活性化工程である前記第2工程よりも前記炭素化合物ガスの分圧が大きい雰囲気中にてなされることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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