特許
J-GLOBAL ID：200903085202186743
半導体ウェーハ処理システムのシャワーヘッドのための上下続きの2つのガスのフェースプレート
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-323377
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 処理領域に達する前にガスを混合することなく、シャワーヘッドへのガスを密閉するためOリングを使用することなく、処理ガスに少なくとも2つのガスを供給するシャワーヘッドを提供する。【解決手段】 シャワーヘッドのための上下続きのガス分配フェースプレートは、第1表面、第2表面、及び第3表面を含み、第1表面と第2表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って延びる複数の第1ガス孔を備えている。上下続きのガス分配フェースプレートは複数の相互連結溝により規定された内部ガスの分配空洞部を有している。複数の第2ガス孔は第1表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って複数の相互連結溝に延びている。相互連結溝は少なくとも1つのガス導管に順番に接続されるプレナムに滑らかに結合されている。ガス導管は第3表面に延びている。
請求項（抜粋）：
第1表面、第2表面、及び第3表面を含む、シャワーヘッドのための上下続きのガス分配フェースプレートであって、前記第1表面と前記第2表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って延び、前記上下続きのガス分配フェースプレートが複数の相互連結溝により形成された内部ガスの分配空洞部を有する複数の第1ガス孔と、前記第1表面の間で前記上下続きのガス分配フェースプレートを通って、複数の相互連結溝に延びる複数の第2ガス孔とを備え、前記相互連結溝は少なくとも1つのガス導管に順番に接続されるプレナムに滑らかに結合され、前記ガス導管は前記第3表面に延びていることを特徴とする上下続きのガス分配フェースプレート。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/455
, H01L 21/31 B
4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030BA38
, 4K030CA04
, 4K030EA03
, 4K030EA08
, 4K030FA10
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 5F045AB33
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045DP03
, 5F045EF05
, 5F045EF11
, 5F045EJ01
, 5F045EJ09
, 5F045EM10
