特許
J-GLOBAL ID：200903085203800534

マルチチップモジュール半導体装置

発明者：
持田 久

持田 久 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213877
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 電気的絶縁性、高熱伝導性且つ高耐熱性に優れ、低コストで、高信頼性のマルチチップモジュール半導体装置を提供することである。【解決手段】 複数のパワー素子を有するパワー回路部と、このパワー回路部を制御する制御回路部とが同一放熱板上に実装されたマルチチップモジュール半導体装置において、前記各パワー素子は、セラミックス系の絶縁層を有するヒートスプレッタを介して前記放熱板に半田付けによって実装した。その際、前記ヒートスプレッタは、熱伝導率が0.2W/°C・cm以上の高熱伝導性であり且つ300°C以上の高耐熱性を有するAl2 O3 層またはAlN層で前記絶縁層を構成し、この絶縁層の上面及び下面側に半田付け可能なメタライズ処理を施した。
請求項（抜粋）：
複数のパワー素子を有するパワー回路部と、このパワー回路部を制御する制御回路部とが同一放熱板上に実装されたマルチチップモジュール半導体装置において、前記各パワー素子は、セラミックス系の絶縁層を有するヒートスプレッタを介して前記放熱板に半田付けによって実装したことを特徴とするマルチチップモジュール半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H05K 1/05
FI (2件)：
H01L 25/04 Z ,  H05K 1/05 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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