特許
J-GLOBAL ID：200903085236577458

温度測定および熱処理方法およびシステム

発明者：
カム、デーヴィッド、マルコルム

カム、デーヴィッド、マルコルム について

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ケルヴィン、ショーナ

ケルヴィン、ショーナ について

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レフランコイス、マルセル、エドモンド

レフランコイス、マルセル、エドモンド について

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スチュアート、グレッグ

スチュアート、グレッグ について


出願人/特許権者：
ボルテック インダストリーズ リミテッド

ボルテック インダストリーズ リミテッド について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  清水 邦明 ,  林 鉐三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-560494
公開番号（公開出願番号）：特表2005-515425
出願日： 2002年12月23日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
温度測定および熱処理の、方法およびシステム。1つの方法は、ワークピースの第1の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第1の表面の少なくとも1つの先の熱特性に応答して、第1の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第1および第2の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。
請求項（抜粋）：
温度測定方法であって、 a)ワークピースの第1の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定するステップと、 b)前記の現在の強度および各先の時間における前記第1の表面の少なくとも1つの先の熱特性に応答して、前記第1の表面の現在の温度を識別するステップと、 を含む、前記方法。
IPC (2件)：
G01J5/10 ,  G01J5/48
FI (2件)：
G01J5/10 A ,  G01J5/48 D
Fターム (8件)：
2G066AB02 ,  2G066AC11 ,  2G066BA11 ,  2G066BA13 ,  2G066BC07 ,  2G066BC11 ,  2G066BC15 ,  2G066CA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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