シリコン単結晶引上げ装置の解体方法および排ガス配管

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068888
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶引上げ装置の解体に際し、特に排ガス配管の管内清掃作業における小発火を未然に防止するため、排ガス配管内に堆積している活性シリコン酸化物を不活性化する解体方法を提供すると共に、管内に活性シリコン酸化物の堆積が少なく、かつ、管内が簡単に掃除できる排ガス配管を提供する。【解決手段】シリコン単結晶引上げ装置の解体方法であって、チャンバを解体する前に少なくとも1回、空気をチャンバおよび/または排ガス配管内に導入し、外界と遮断した後、導入空気を排気し、その後チャンバを解体するシリコン単結晶引上げ装置の解体方法、およびシリコン単結晶引上げ装置における排ガス配管であって、配管にリーク弁を設置するとともに、配管全体を導体管で配管し、接地アースを設けた。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶引上げ装置の解体方法であって、チャンバを解体する前に少なくとも1回、空気をチャンバおよび/または排ガス配管内に導入し、外界と遮断した後、導入空気を排気し、その後チャンバを解体することを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置の解体方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 Z , C30B 15/00 Z , H01L 21/208 P

Fターム (15件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EG28 , 4G077HA12 , 4G077PA11 , 4G077PA16 , 5F053AA12 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053PP01 , 5F053PP20 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (4件)

単結晶引上げ機の不活性ガス排気系のクリーニング装置及びそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-019341 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 株式会社宇野澤組鐵工所
単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-368293 出願人：信越半導体株式会社
単結晶引上げ機の不活性ガス排気系の粉塵燃焼方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-281093 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

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