半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073180
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269774
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】同期型DRAM等、高周波動作を行うメモリにおいて、動作周波数が高く(書き込み動作サイクル時間が短く)ても、信号の書き込み不良を防ぐ。【解決手段】センスアンプドライバ104は、センスアンプ活性化信号406のみにより制御されるトランジスタ141、144と、書き込み信号110及びセンスアンプ活性化信号406により制御されるトランジスタ142、143とにより構成される。信号の読み出し動作時には、前記4個のトランジスタが導通し、信号の書き込み動作時には、前記2個のトランジスタ142、143のみが導通する。従って、センスアンプドライバ110のセンスアンプ駆動能力は、信号の書き込み動作時には読み出し動作時に比べて低下し、センスアンプ402のデータのラッチ能力が小さくなり、その結果、センスアンプ402にラッチされているデータを確実に書き換えることができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、前記メモリセルに記憶された信号の読み出し動作時に、前記メモリセルから読み出された信号を増幅するラッチ型センスアンプとを備え、前記メモリセルへの信号の書き込み動作時に、前記センスアンプを介して信号を前記メモリセルに書き込む半導体記憶装置において、前記ラッチ型センスアンプのラッチ能力を、信号の前記読み出し動作時と前記書き込み動作時とで変更するセンスアンプ駆動能力変更手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/409 , G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 353 E , G11C 11/34 362 S

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-165398
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248435 出願人：株式会社東芝
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190100 出願人：富士通株式会社

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