特許
J-GLOBAL ID：200903032946366905
発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104435
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307011
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体材料としてシリコンを用いて量子効果を発現でき、しかも均一にかつ再現性よく製造することができる実用性のある発光素子及びその製造方法を得る。【構成】 発光素子において、発光領域を、50nm以下の粒径をもった結晶粒2aからなる微結晶シリコン層2により構成した。
請求項（抜粋）：
50nm以下の粒径をもった微結晶シリコンから構成した発光領域を有し、該発光領域にて発光を行う発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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