特許
J-GLOBAL ID：200903085405435188
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133792
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330271
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明はソース層、ドレイン層の表面にコバルトシリサイドを形成した半導体装置における寄生抵抗を低減し、特性の優れた半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板1上の不純物拡散層の表面にコバルトシリサイドが形成されたnMOSFETおよびpMOSFETを有する半導体装置の製造方法において、pMOSFET形成領域22を覆い、nMOSFET形成領域21に開口を有するマスク9を用いて、nMOSFETの不純物拡散層15,17にイオン注入することによりアモルファス層を形成する工程と、前記マスク9を除去した後、前記シリコン基板上にコバルト膜を形成し、加熱処理を行ってコバルトシリサイドを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の不純物拡散層の表面にコバルトシリサイドが形成されたnMOSFETおよびpMOSFETを有する半導体装置の製造方法において、pMOSFET形成領域を覆い、nMOSFET形成領域に開口を有するマスクを用いて、nMOSFETの不純物拡散層にイオン注入することによりアモルファス層を形成する工程と、前記マスクを除去した後、前記シリコン基板上にコバルト膜を形成し、加熱処理を行ってコバルトシリサイドを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/28 301
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 27/08 321 B
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/78 301 Y
