特許
J-GLOBAL ID:200903085430238958

半導体等製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-064018
公開番号(公開出願番号):特開平10-261687
出願日: 1997年03月18日
公開日(公表日): 1998年09月29日
要約:
【要約】【課題】 膜質が従来に比べ向上し、歩留まりも向上させることができる半導体等製造装置を提供すること。【解決手段】複数のドライ処理チャンバー7a,7b,7c,7d,7eと、各ドライチャンバー7a,7b,7c,7d,7e間をつなぐ搬送室6と、ロード・アンロードチャンバー8a,8b,8c,8dと、洗浄装置13とを有し、搬送室6と洗浄装置13とを接続せしめてあることを特徴とする。
請求項(抜粋):
複数のドライ処理チャンバーと、各ドライ処理チャンバー間をつなぐ搬送室と、被処理物を回動可能に保持するための保持体と、該被処理物にオゾン水を供給するためのオゾン水供給ノズルと、該被処理物に水素水を供給するための水素水供給ノズルとを内部に有する洗浄室を有する洗浄装置と、前記被処理物を該洗浄装置に搬入するとともに、ドライ処理後の被処理物を前記洗浄装置から搬出するロード・アンロードチャンバーとを有してなり、前記搬送室と前記洗浄装置とを直接又は間接的に接続したことを特徴とする半導体等製造装置。
IPC (5件):
H01L 21/68 ,  B08B 3/02 ,  C02F 1/46 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304
FI (6件):
H01L 21/68 A ,  B08B 3/02 C ,  C02F 1/46 A ,  H01L 21/304 341 C ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/304 341 L
引用特許:
審査官引用 (5件)
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