半導体薄膜の検査方法及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198720
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031229
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】従来の半導体薄膜の検査方法は、基準のa-Si膜の膜厚ムラのため、2次元的に結晶化率分布を求める必要があるが、基板全体の結晶化率、粒径の分布を求める場合には、多量の測定点を点測定して再構成し分布を求めるため時間を要し、製造ライン上の製品に対し制限される検査時間では検査できなかった。【解決手段】本発明は、波長が260nmから450nmまでの紫外、近紫外線領域の光束を光源1で発生させて2次元的に移動可能なXYステージ6に載置される基板5に照射し、その反射した反射光束を集光してラインセンサ等からなる撮像部9で撮影して撮像データを生成し、多結晶シリコン膜とa-Si膜との結晶化率の変化による屈折率n及び消衰係数kの変化を基板表面の反射率変化として検出する半導体薄膜の検査方法及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された多結晶シリコン膜の結晶化率分布を求める検査法方において、前記多結晶シリコン膜の表面に、波長が260nmから450nmまでの紫外から近紫外領域のうちの任意の波長の光束を照射し、その反射した光束から画像を生成し、その画像の屈折率及び/若しくは消衰係数のそれぞれに生じた差に基づき、前記多結晶シリコン膜の結晶化率分布を求めることを特徴とする半導体薄膜の検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01J 3/42

FI (2件)：

H01L 21/66 N , G01J 3/42 Z

Fターム (22件)：

2G020AA04 , 2G020AA05 , 2G020CB32 , 2G020CB33 , 2G020CB54 , 2G020CC27 , 2G020CC29 , 2G020CC55 , 2G020CC63 , 2G020CD12 , 2G020CD31 , 4M106AA10 , 4M106BA04 , 4M106CA70 , 4M106CB30 , 4M106DH01 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DH38 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ23

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-097219
特開平3-097219
シリコン薄膜の結晶性評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-306820 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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