半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250163
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098232
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】発振波長の調整が簡易で生産性に優れた波長多重用半導体レーザおよび半導体レーザアレイ素子とその製造方法を提供する。【解決手段】面発光型の半導体レーザにおいて、加熱により屈折率が変化する非晶質層を共振器中に設け、加熱工程で発振波長を調整できるようにする。

請求項（抜粋）：

発光領域と、該発光領域を挟む第1の反射膜および第2の反射膜とを備えた共振器を有する面発光型の半導体レーザにおいて、前記共振器中に加熱処理によって発振波長の調整を可能とする非晶質層を有することを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

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