特許
J-GLOBAL ID：200903085475484283

表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、半導体装置およびその製造方法

発明者：
服部 清太郎

服部 清太郎 について

, 
秋山 将宏

秋山 将宏 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301076
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111742
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング/アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 (A)ポリシランと、(B)有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物。(A)下記一般式(1)で表わされる化合物の群から選ばれた少なくとも1種のポリシランと、(B)有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物、および該組成物を用いた表面疎水化方法、半導体装置。[式中、R1,R2は水素原子、アルキル基、ビニル基、アリル基またはフェニル基を示す(ただし、R1,R2のうち水素原子は1個または0個である)。]【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のポリシランと、(B)有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物。
IPC (5件)：
C09D 183/16 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/16 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
C09D183/16 ,  C08K5/00 ,  C08L83/16 ,  C09D5/25 ,  H01L21/90 A
Fターム (45件)：
4J002CP011 ,  4J002EC016 ,  4J002EC036 ,  4J002ED016 ,  4J002ED026 ,  4J002EE036 ,  4J002EE046 ,  4J002EH036 ,  4J002EU016 ,  4J002EU096 ,  4J002GH02 ,  4J038DL011 ,  4J038DL171 ,  4J038JA19 ,  4J038JA26 ,  4J038JA28 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第US6383466号明細書
  • 米国特許第US5504042号明細書
  • 米国特許第US6548113号明細書
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審査官引用 (3件)

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