特許
J-GLOBAL ID：200903085501110648

固体撮像素子

発明者：
唐澤 信浩

唐澤 信浩 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206899
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055590
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】固体撮像素子の光電変換部の開口率を大きくし、高感度化を図る。【解決手段】素子基板に貼り合わせSOI基板80A、80Bを用いることにより、光電変換部70と電荷読み出し部(トランジスタ32、36等)をSOI絶縁層60の上下両側(つまり別平面)に配置する構造とし、光電変換部と電荷読み出し部を光入射方向に対して垂直方向(板厚方向)に積層した構造によって開口率の向上を図る。また、貼り合わせSOI基板にコンタクトホール94を形成し、その内周端面に熱酸化により形成した絶縁膜66を形成し、その絶縁膜を利用してキャパシタC1を形成し、そのキャパシタを信号線の一部に利用する。光電変換部70の上部に透明電極64が接続された構造とすることにより、グローバルシャッタ動作と、余剰電荷の排出をできるようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1シリコン基板の片面にSOI絶縁層を設けたSOI基板と、 前記SOI基板のSOI絶縁層側に接合された第2シリコン基板と、 前記第1シリコン基板または第2シリコン基板のいずれか一方に設けられた光電変換部と、 前記第1シリコン基板または第2シリコン基板のいずれか他方に設けられた電荷読み出し部と、 前記第1シリコン基板から第2シリコン基板にわたって前記SOI絶縁層を貫通する状態で形成され、前記光電変換部によって生成された信号電荷を前記電荷読み出し部側に伝送するプラグ部と、 を有することを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
H01L27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (11件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118DD05 ,  4M118DD09 ,  4M118FA25 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 特開昭63-129661
  • 特開昭62-049787
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-372931   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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審査官引用 (8件)
  • 特開昭63-129661
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074262   出願人：松下電工株式会社
  • イメージセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-306516   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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