特許
J-GLOBAL ID：200903085510813023

GaN系半導体発光素子

発明者：
伊藤 範和

伊藤 範和 について

, 
西田 敏夫

西田 敏夫 について

, 
中川 聡

中川 聡 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-301945
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118049
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】Inを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるとともに、Inの取り込みを高くしつつ、発光特性や電気特性を向上させたGaN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1の上に、n型GaNコンタクト層2、n型のAlInGaN/AlGaN超格子層3、活性層4、p型AlGaNブロック層8、p型GaNコンタクト層5が積層され、n電極7とp電極6が設けられている。活性層4は、量子井戸構造を有する活性層であり、井戸層をAlX1InY1GaZ1N(X1+Y1+Z1=1、0<X1<1、0<Y1<1)、バリア層をAlX2InY2GaZ2N(X2+Y2+Z2=1、0≦X2<1、0≦Y2<1、Y1>Y2)で構成し、井戸層とバリア層は温度変調によって形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を有する活性層を備えたGaN系半導体発光素子であって、 前記活性層はAlX1InY1GaZ1N(X1+Y1+Z1=1、0<X1<1、0<Y1<1)井戸層とAlX2InY2GaZ2Nバリア層(X2+Y2+Z2=1、0≦X2<1、0≦Y2<1、Y1>Y2)とで構成されており、前記井戸層の成長温度とバリア層の成長温度とは異なることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205
Fターム (41件)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55 ,  5F045EK27 ,  5F173AA08 ,  5F173AF03 ,  5F173AF15 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ16 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR23 ,  5F173AR61 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM