特許
J-GLOBAL ID：200903033243927219
窒化ガリウム系化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209295
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055719
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】波長380nm以下において発光効率に優れたLEDを提供する。【解決手段】基板10上にn-クラッド層20、発光層22、p-ブロック層24及びp-クラッド層26を形成する。発光層22として、AlInGaN井戸層/AlGaNバリア層の量子井戸構造を用いる。井戸層及びバリア層の組成や厚さを最適化することで、発光効率が向上する。例えば、n-Al0.2Ga0.8Nバリア層(10nm)/アンドープAl0.1In0.05Ga0.85N井戸層(1.25nm)/アンドープAl0.2Ga0.8Nバリア層からなるSQWを発光層22とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたGaN系発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体装置であって、
前記発光層は、AlInGaN井戸層とAlGaNバリア層を積層した量子井戸層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CB02
, 5F041FF11
, 5F041FF16
