固体撮像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150847
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】信号蓄積部に蓄積された信号電荷を低電圧駆動のMOSトランジスタを用いて完全に読み出す。【解決手段】 MOS型固体撮像装置において、p型基板21の内部に設けられたn型の信号蓄積部22と、この信号蓄積部22の上部で基板表面に設けられたp+ 型の表面シールド層23と、信号蓄積部22の一端に隣接して基板の上部に設けられたゲート電極25と、このゲート電極25の信号蓄積部22とは反対側の端に隣接して設けられたn型のドレイン領域24と、このドレイン領域24の下部に設けられたp+ 型のパンチスルーストッパとを具備してなり、信号蓄積部22とゲート電極25は基板表面方向で一部が重なっており、表面シールド層23は信号蓄積部22よりもゲート電極25と反対側に後退している。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板又はウェルの内部に設けられ、光電変換して得られた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号蓄積部と、この信号蓄積部の上部で前記基板又はウェルの表面に設けられた、該基板又はウェルよりも不純物濃度の高い第1導電型の表面シールド層と、前記信号蓄積部の一端に隣接して前記基板又はウェルの上部に設けられたゲート電極と、このゲート電極の前記信号蓄積部とは反対側の端に隣接して設けられた第2導電型のドレイン領域と、このドレイン領域の下部に設けられた、前記基板又はウェルよりも不純物濃度の高い第1導電型パンチスルーストッパとを具備してなり、前記信号蓄積部とゲート電極は前記基板又はウェルの表面方向で一部が重なっており、前記表面シールド層は前記信号蓄積部よりも前記ゲート電極と反対側に後退していることを特徴とする固体撮像装置。

Fターム (9件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118EA07 , 4M118EA14 , 4M118FA06 , 4M118FA33

引用特許：

審査官引用 (4件)

固体撮像素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-285757 出願人：日本電気株式会社
固体撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-298687 出願人：株式会社東芝
特開平3-091263

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