半導体フレーム用鉛フリー合金外装めっき装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤吉繁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325172
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144240
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【目的】地球環境保全への要請から、有害な鉛を用いない所謂鉛フリー合金を用いての半導体リードフレーム外装へのめっき皮膜形成が試みられているが、鉛フリー合金は鉛合金に比してめっき処理がむずかしく、組成や厚さにばらつきがあるめっき皮膜が形成されやすく、不良品の発生する率が高かった。【構成】めっき処理槽1の外側にめっき処理槽1から溢れ出した鉛フリー合金めっき液4を捕集するめっき外槽2を、めっき処理槽1の下方に貯液槽9をそれぞれ設け、前記めっき外槽2の下面と貯液槽9とを戻し管8で連通させると共に、貯液槽9とめっき処理槽1とを循環ポンプ7を介して送管6で接続し、該送管6の先端をめっき処理槽1内の底面に位置させ、この送管6の先端に鉛フリー合金めっき液4を多方向に噴射させる無数の小穴24があけられた噴出筒4を接続すると共に、負極通電バー14をめっき処理槽1の直上に配列した。

請求項（抜粋）：

めっき処理槽1の上方に設置された搬送装置から垂設された冶具板11にリードフレーム10をぶら下がり状態で着脱自在に固定し、前記冶具板11に取付けられた弓形をした集電橇13をめっき処理槽1外に配設された負極通電バー14に摺接させてリードフレーム10に負電流を供給し、一方、鉛フリー合金めっき液4を収容しためっき処理槽1中のリードフレーム10の通過位置の両側に一対の陽極19,19を配置し、負極通電バー14と陽極19との間に電流を流し、電解によりリードフレーム10の表面に鉛フリー合金皮膜を形成させる半導体リードフレーム用鉛フリー合金外装めっき装置において、めっき処理槽1の外側にめっき処理槽1から溢れ出した鉛フリー合金めっき液4を捕集するめっき外槽2を、めっき処理槽1の下方に貯液槽9をそれぞれ設け、前記めっき外槽2の下面と貯液槽9とを戻し管8で連通させると共に、貯液槽9とめっき処理槽1とを循環ポンプ7を介して送管6で接続し、該送管6の先端をめっき処理槽1内の底面に位置させ、この送管6の先端に鉛フリー合金めっき液4を多方向に噴射させる無数の小穴24があけられた噴出筒4を接続し、鉛フリー合金めっき液4の噴出によってめっき処理槽1内の鉛フリー合金めっき液4を均一に攪拌できる様にすると共に、負極通電バー14をめっき処理槽1の直上に配置してリードフレーム10への通電効率を向上せしめる様にしたことを特徴とする半導体リードフレーム用鉛フリー合金外装めっき装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , C25D 7/12 , C25D 21/10 301

FI (3件)：

H01L 23/50 D , C25D 7/12 , C25D 21/10 301

Fターム (18件)：

4K024AA21 , 4K024AB01 , 4K024BA02 , 4K024BA09 , 4K024BB09 , 4K024BC01 , 4K024CB02 , 4K024CB03 , 4K024CB14 , 4K024CB15 , 4K024EA04 , 4K024GA02 , 5F067DC01 , 5F067DC04 , 5F067DC05 , 5F067DC06 , 5F067DC12 , 5F067DC16

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体リードフレームのメッキ方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-293369 出願人：リックス株式会社
半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146603 出願人：株式会社荏原製作所, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
特開昭58-096759

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