特許
J-GLOBAL ID：200903085593469868

磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気デバイス

発明者：
熊谷 静似

熊谷 静似 について

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池田 義人

池田 義人 について

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宮崎 照宣

宮崎 照宣 について

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福本 能之

福本 能之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009892
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208831
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 これまで以上の磁化配列状態を実現し、多値化を可能とする。【解決手段】 反強磁性層と接して形成される第1の磁性層と、少なくとも2層以上の磁性層とがそれぞれトンネル障壁層を介して積層されている。例えば、少なくとも2層以上の磁性層が第2の磁性層及び第3の磁性層とからなる場合、無磁場において4種類の磁化の配列状態が存在する。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と接して形成される第1の磁性層と、少なくとも2層以上の磁性層とがそれぞれトンネル障壁層を介して積層されていることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08
Fターム (10件)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BB01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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