特許
J-GLOBAL ID：200903085687581319

high-k絶縁膜を備えた単一トランジスタ強誘電体トランジスタ構造、およびその製造方法

発明者：
シェン テン スー

シェン テン スー について

, 
フェンヤン ツアン

フェンヤン ツアン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081698
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329847
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 金属強誘電体半導体(MFIS)トランジスタにおける強誘電体ゲートの特性を改善する構造および方法を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体トランジスタ構造は、強誘電体トランジスタ構造であって、半導体基板の上にある強誘電体ゲートと、強誘電体ゲートと該半導体基板との間に挿入されたhigh-k材料とを備え、これにより、上部電極およびhigh-k材料は、強誘電体ゲートを保護し、酸素または水素による汚染、もしくは他の汚染を低減または除去することができ、MFISの特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
強誘電体トランジスタ構造であって、a)半導体基板の上にある強誘電体ゲートと、b)該強誘電体ゲートと該半導体基板との間に挿入されたhigh-k材料とを備えた、強誘電体トランジスタ構造。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371
Fターム (15件)：
5F083FR06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F101BA62
引用特許：
審査官引用 (4件)
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