半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196069
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031535
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 ZnOバッファ層の上方の化合物半導体層の組成を変化させることなくZnOバッファ層を低抵抗化する。【解決手段】導電性Si基板2の上に低抵抗のZnOバッファ層3を成長させ、その上にn型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8をエピタキシャル成長させる。Si基板2の下面にはn側電極9を、p型GaN層8の上面にはp側電極10を設ける。導電性Si基板2は比抵抗が1Ω・cm以下のものを用いる。また、ZnOバッファ層3には上層の各化合物半導体層に含まれない(Ga、Al、In以外の)不純物元素をドープすることにより比抵抗を1Ω・cm以下にする。このIII族の不純物元素としては、B、Sc、Y、La、Ac、Tlなどをドープでき、V族ではV、Nb、Ta、P、As、Sb、Biなどをドープすることができる。

請求項（抜粋）：

導電性Si基板の上に低抵抗のZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成した半導体発光素子において、前記ZnOバッファ層は、その上方の化合物半導体層の組成元素を含まないことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Fターム (11件)：

5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA57 , 5F041CA77 , 5F073CA02 , 5F073CA17 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073CB19

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-285109 出願人：住友化学工業株式会社
透明導電体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-184556 出願人：積水化学工業株式会社
特開平4-242985

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