研磨液

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-305981
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124222
出願日： 2006年11月10日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】化学的機械的研磨による被研磨面の平坦化工程において十分な研磨速度で研磨が進行し、エロージョンを効果的に抑制しうる半導体デバイスのバリア金属材料の研磨に好適な研磨液を提供する。【解決手段】研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドをウェハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法において、主としてバリア金属材料の研磨に用いられる研磨液であって、(a)カルボキシ基と、酸素を含む炭化水素部分構造と、を有するカルボン酸化合物、(b)コロイダルシリカ粒子、及び、(c)複素環化合物、を含み、pHが2.5〜4.5の範囲にある研磨液である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドをウェハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法において、主としてバリア金属材料の研磨に用いられる研磨液であって、 (a)カルボキシ基と、酸素を含む炭化水素部分構造と、を有するカルボン酸化合物、(b)コロイダルシリカ粒子、及び、(c)複素環化合物、を含み、pHが2.5〜4.5の範囲にある研磨液。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 , 3C058CA05 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

研磨液及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-290756 出願人：日立化成工業株式会社
金属用研磨液及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-095151 出願人：日立化成工業株式会社

審査官引用 (7件)

半導体層を研磨するための組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-228852 出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-352884 出願人：日立化成工業株式会社
研磨用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-055318 出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

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