特許

J-GLOBAL ID：200903013285396760

半導体層を研磨するための組成物

発明者： チェントン・リウ ,  ジョン・クァンシ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228852
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101545
出願日： 2004年08月05日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】半導体デバイスにおける酸化ケイ素含有層の除去において除去速度を制御しうる水性研磨組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】水性研磨組成物は、酸性pHで、配線金属の除去を制限するための腐食インヒビターを含む。組成物は、式:(R1、R2、R3及びR4は基であり、R1は、炭素原子2〜15個を有する炭素鎖長を有する)を用いて形成される有機含有アンモニウム塩を含有する。上記有機含有アンモニウム塩は、TEOS除去を促進し、かつSiC、SiCN、Si3N4及びSiCOからなる群から選択される少なくとも1つのコーティングの除去を低減する濃度を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

配線金属の除去を制限するための腐食インヒビターと、 酸性pHと、 式:

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (7件)：

H01L21/304 622C ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 B ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058BA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-023316   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 化学機械研磨用研磨剤スラリ-
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-333383   出願人：株式会社岡本工作機械製作所
• ウェーハ研磨用スラリー及びこれを用いた化学的機械的研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-318204   出願人：三星電子株式会社
• 研磨剤スラリ-
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324429   出願人：株式会社岡本工作機械製作所
• ケミカル・メカニカル平坦化法に用いられる組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-247451   出願人：レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
• 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-120900   出願人：セイミケミカル株式会社, 旭硝子株式会社
• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-122600   出願人：花王株式会社
• 半導体集積回路の平坦化方法及びそのための化学的機械研磨スラリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-196052   出願人：セイミケミカル株式会社
• 相互接続構造およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-035811   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-289201   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド