特許
J-GLOBAL ID：200903033974215854
金属膜CMP用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-132095
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310596
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、低摩擦で均一に金属膜を安定して研磨し得る金属膜CMP用スラリーを提供する。【解決手段】水、総量の0.01wt%以上0.3wt%以下配合された重量平均分子量20,000以上のポリビニルピロリドン、酸化剤、水不溶性錯体を形成する第一の錯体形成剤と水溶性錯体を形成する第二の錯体形成剤とを含む保護膜形成剤、および、一次粒子径が5〜50nmのコロイダルシリカを含有することを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
水、
総量の0.01wt%以上0.3wt%以下配合された重量平均分子量20,000以上のポリビニルピロリドン、
酸化剤、
水不溶性錯体を形成する第一の錯体形成剤と水溶性錯体を形成する第二の錯体形成剤とを含む保護膜形成剤、および
一次粒子径が5nm以上50nm以下のコロイダルシリカ
を含有することを特徴とする金属膜CMP用スラリー。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA17
出願人引用 (6件)
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金属用研磨組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-080010
出願人：旭化成株式会社
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研磨スラリー
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-068734
出願人：株式会社東芝, 芝浦メカトロニクス株式会社
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金属CMPにおける研磨用組成物および研磨方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2000-553521
出願人：ロデールホールディングスインコーポレイテッド
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審査官引用 (3件)
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