特許
J-GLOBAL ID：200903085731993018
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340971
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176175
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 一括消去後に過消去状態を残さず、メモリセルを所望のしきい値範囲の消去状態に追い込んで誤動作を防止するようにした不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 電気的書き換え可能なNAND型セルを用いたメモリセルアレイ1、カラムデコーダ4、ビット線制御回路2、ワード線制御回路6、データ入出力バッファ4を有し、データの一括消去後に事前書き込みと確認読み出しを行って消去されたメモリセルを、所望のしきい値範囲に追い込むようにした。確認読み出しの出力による消去状態判定は、確認読み出し出力をスキャンするカラムスキャン判定回路9と、制御信号及び制御電圧発生回路7とにより行い、少なくとも二つのメモリセルのしきい値が所定のしきい値に達したことを判定して、事前書き込み動作を終了する。
請求項（抜粋）：
それぞれ制御ゲートを有する電気的書き換え可能な不揮発性半導体メモリセルをマトリクス配列して構成されるメモリセルアレイと、このメモリセルアレイ内の選択されたメモリセルの制御ゲートに書き込み電圧を印加してデータ書き込みを行う書き込み手段と、前記メモリセルアレイ内の複数のメモリセルに前記書き込み電圧と逆極性の消去電圧を印加してデータ一括消去を行う消去手段と、この消去手段によりデータが消去された前記複数のメモリセルを所望の消去状態にするために事前書き込み電圧を印加して事前書き込みを行う事前書き込み手段と、この事前書き込み手段による事前書き込み後に前記複数のメモリセルが前記消去状態に入っているか否かを確認するための確認読み出し手段と、この確認読み出し手段の出力に基づいて少なくとも二つのメモリセルのしきい値が所定のしきい値に達したことを判定して前記事前書き込み手段による事前書き込み動作を終了する消去状態判定手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 612 C
, G11C 17/00 622 E
