不揮発性メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069158
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273382
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】二層構造の浮遊ゲート電極および制御ゲート電極を有する不揮発性メモリセルに対する書込み開始時にゲート絶縁膜にかかる電圧ストレスを低減でき、メモリセルの信頼性の向上を図り得る不揮発性メモリを提供する。【構成】二層構造の浮遊ゲート電極31および制御ゲート電極32を有する不揮発性メモリセルと、メモリセルの制御ゲート電極に接続されている制御線CGiと、メモリ動作モードに応じて制御線の電位を制御する制御電位供給回路13と、電源電圧を昇圧して書込み電圧VPPを出力する書込み電圧昇圧回路15と、メモリセルに対する書込み開始時に書込み電圧昇圧回路の昇圧電圧出力の大きさがその中間値から最高値まで上昇するように制御する制御回路20とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

二層構造の浮遊ゲート電極および制御ゲート電極を有する不揮発性メモリセルと、このメモリセルの制御ゲート電極に接続されている制御線と、前記不揮発性メモリセルに対する動作モードに応じて上記制御線の電位を制御する制御電位供給回路と、電源電圧が与えられ、これを昇圧して書込み電圧を出力する書込み電圧昇圧回路と、前記不揮発性メモリセルに対する書込み開始時に前記書込み電圧昇圧回路の昇圧電圧出力の大きさがその中間値から最高値まで上昇するように制御する制御回路とを具備することを特徴とする不揮発性メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 510 A , G11C 17/00 309 D

引用特許：

審査官引用 (11件)

不揮発性半導体メモリ装置の自動プログラム回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-229850 出願人：三星電子株式会社
特開昭63-018594
高電圧発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078533 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る