特許
J-GLOBAL ID：200903097163011360
電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方 法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236539
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102198
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】しきい値電圧のバラつきを低減すると同時に、異常動作や信頼性上の問題を防ぎ、かつ消去時間の増加を防止する電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方法を提供する。【構成】消去動作と消去ベリファイを繰返し行なって所望のしきい値電圧よりも低い値になるまで過消去する過程(101)と、書戻し動作としきい値電圧の下限をチェックするベリファイを繰返し行なってしきい値電圧を所望の値になるまで実行する書戻し過程(102)と、その際のしきい値電圧の上限がある値以下である事を検証するベリファイ過程(103)をこの順に行なう。
請求項（抜粋）：
一の消去単位に対する消去動作と前記消去動作に引き続いて前記一の消去単位内に含まれるメモリセルの全てに対してそのしきい値電圧が第1のメモリセルしきい値電圧上限値以下になる事を検証する第1のベリファイ動作とを前記メモリセルのしきい値電圧が全て前記第1のメモリセルしきい値電圧上限値以下になるまで繰返す過程と、前記一の消去単位に対する書戻し動作と前記書戻し動作に引き続いて前記一の消去単位内に含まれるメモリセルの全てに対してそのしきい値電圧が前記第1のメモリセルしきい値電圧下限値以上になる事を検証する第2のベリファイ動作とを前記メモリセルのしきい値電圧が全て前記第1のメモリセルしきい値電圧下限値以上になるまで繰返す書戻し過程と、前記一の消去単位内に含まれるメモリセルの全てに対してそのしきい値電圧が前記第2のメモリセルしきい値電圧上限値以下になる事を検証する第3のベリファイ過程とを含みかつこの順序で実行し、前記第1のメモリセルしきい値電圧上限値は前記第2のメモリセルしきい値電圧上限値より低い事を特徴とする電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方法。
FI (2件)：
G11C 17/00 530 A
, G11C 17/00 309 F
