特許
J-GLOBAL ID：200903085732145983

表面処理膜及びその形成方法

発明者：
大村 和世

大村 和世 について


出願人/特許権者：
NECトーキン株式会社

NECトーキン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198979
公開番号（公開出願番号）：特開2006-022345
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 はんだ付け性の劣化、接着強度の低下、接触抵抗の増大を引き起こすことがない、端子部品の表面処理膜、及びその形成方法を提供すること。【解決手段】 不活性雰囲気で、スズからなる第一のめっき膜と、厚さが50nm以下で、スズより卑な金属を含む第二のめっき膜を、端子部品表面に順次形成する。第二のめっき膜は、スズよりも卑な金属を含むので、第一のめっき膜よりも容易に酸化されるが、その酸化物層により下地の第一のめっき膜の酸化防止が可能で、はんだ付け性などが向上する。第二のめっき膜の酸化物層は薄いので、通常のフラックスの処理で支障なくはんだ付けができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
電子部品の端子母材表面に形成され、スズからなる第一のめっき膜と、前記第一のめっき膜の表面に形成され、スズより卑な金属を含む第二のめっき膜を有することを特徴とする表面処理膜。
IPC (2件)：
C25D 5/10 ,  C25D 7/00
FI (2件)：
C25D5/10 ,  C25D7/00 G
Fターム (9件)：
4K024AA05 ,  4K024AA07 ,  4K024AA21 ,  4K024AB02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB09 ,  4K024BC03 ,  4K024CA16 ,  4K024GA14
引用特許：
出願人引用 (3件)

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