特許
J-GLOBAL ID：200903085741222184

ネガ型ホトレジスト組成物

発明者：
廣▲崎▼ 貴子

廣▲崎▼ 貴子 について

, 
新堀 博

新堀 博 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-229783
公開番号（公開出願番号）：特開2005-004224
出願日： 2004年08月05日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】 基板上に下層膜を設け、該下層膜上にネガ型ホトレジスト組成物からなるホトレジスト膜を設け、該ホトレジスト膜を選択的露光後、該下層膜と該ホトレジスト膜を同時に現像処理するパターン形成方法において、良好な解像性が得られるネガ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、および(C)架橋剤を含有してなり、磁気ヘッド素子の形成に用いられるネガ型ホトレジスト組成物であって、前記酸発生剤(B)が、カチオンが親水性基を有していないオニウム塩を含むことを特徴とするネガ型ホトレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、および(C)架橋剤を含有してなり、磁気ヘッド素子の形成に用いられるネガ型ホトレジスト組成物であって、 前記酸発生剤(B)が、カチオンが親水性基を有していないオニウム塩を含むことを特徴とするネガ型ホトレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (10件)：
2H025AA02 ,  2H025AB20 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA40
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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