特許
J-GLOBAL ID:200903085741443652

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-268570
公開番号(公開出願番号):特開2000-100859
出願日: 1998年09月22日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】半導体素子の機能面に回路基板が貼着され、ワイヤを介して接続された半導体装置において、基板のメッキ引出し線及びそのためのエリアを少なくして配線効率を改善し、半導体素子のシュリンク化やボールピッチの狭ピッチ化に対応する。【解決手段】 回路基板4aの、半導体素子のセンターパッドと対応する領域(斜線部)にメッキ用引出し線Gを形成し、この線を用いて電解メッキを行った後、この部分を引出し線とともに除去した上で、半導体チップと貼着しワイヤボンディングにより基板と半導体チップとを接続する。また、基板の回路パターンから延びるリードが接続された半導体装置の場合には、リードの先端部をメッキ用導電連結片により連結して回路パターンと接続させてメッキを行い、この部分の絶縁フィルムのみを除去した後、半導体チップと貼着させ、リードの先端を導電連結片から切断しながらリードを半導体チップと接続する。
請求項(抜粋):
センターパッド構造の半導体素子の機能面に回路基板が貼着され、前記半導体素子のセンターパッドと前記回路基板のボンディングパッドがボンディングワイヤを介して接続された半導体装置において、前記回路基板のボンディングパッドには、前記半導体チップのセンターパッド側からの給電により電解メッキが施されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 L
Fターム (2件):
5F044AA03 ,  5F044JJ03
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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